SKM800GA176D Semikron Verkauf in Deutschland
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Technische Spezifikation
Abmessungen (LxBxH) 106x62x37
IGBT 3-Chip-Technologie (Trench)
Ehemalige Artikelnummer 22890435
Eigenschaften von homogenem Si
Graben = Grabentortechnik
VCE (sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Hohe Kurzschlussfähigkeit, selbstbegrenzend auf 6 x IC
SEMITRANS 4-Gehäuse
SEMITRANS Produktlinie
Produktstatus In Produktion
Spannung 1700 V
Stromstärke (A) 600 A
IGBT-Technologie
Einzel-Switch-Topologie
Typische Anwendungen: Wechselrichter treiben Netzantriebe 575 — 750 V AC an
Öffentliche Verkehrsmittel (Hilfssystem)
Windkraft